一种不良芯片筛选方法

摘要

本发明涉及一种不良芯片筛选方法，包括如下步骤：将共晶之前的芯片放置于载玻片上，再将放置有芯片的载玻片放置于加热台上进行加热处理，待加热完毕将带有芯片的载玻片置于显微镜下进行不良检测，根据检测结果，不合格芯片被筛选剔除，合格芯片进行后续工艺生产。通过本发明的芯片筛选方法，可以将污染或清洁工作处理不当引起的不良芯片筛选剔除，有利于减少芯片在后续工艺中的材料浪费，提高芯片良品率和生产效率。

主权项

一种不良芯片筛选方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1:将共晶之前的芯片放置于载玻片上；步骤2：将放置有芯片的载玻片放置在温度为280℃‑330℃加热台上进行10‑30s加热处理；步骤3：待加热处理完毕，将带有芯片的载玻片放置于显微镜下进行不良检测；步骤4：根据步骤3检测结果，不合格芯片被筛选剔除，合格芯片进行后续工艺生产。