一种端口负载保护开关的负压过压保护电路

摘要

本实用新型公开一种端口负载保护开关的负压过压保护电路，包括：P型场效应管；第三N型场效应管；第二N型场效应管，其包括栅极、第三N+区和第四N+区，其栅极与P型场效应管的漏极相连，其第三N+区和第四N+区对应分别形成源极或漏极；开关NMOS管，其包括栅极、第一N+区和第二N+区，其栅极与所述第四N+区相连，且其栅极通过一反相器与所述控制信号相连，其第一N+区和第二N+区对应分别形成源极或漏极，第一N+区与第三N+区以及信号输入端相连，第二N+区与信号输出端相连；判断电路，其控制所述开关NMOS管的衬底、第二N型场效应管的衬底及第三N型场效应管的衬底连接到最高电位、控制所述P型场效应管的衬底连接到最低电位。

主权项

一种端口负载保护开关的负压过压保护电路，其特征在于包括：P型场效应管，其源极与信号输入端连接；第三N型场效应管，其栅极与P型场效应管的栅极相连且与控制信号相连，其漏极与P型场效应管的漏极相连，其源极接地；第二N型场效应管，其包括栅极、第三N+区和第四N+区，其栅极与P型场效应管的漏极相连，其第三N+区和第四N+区对应分别形成源极或漏极；开关NMOS管，其包括栅极、第一N+区和第二N+区，其栅极与所述第四N+区相连，且其栅极通过一反相器与所述控制信号相连，其第一N+区和第二N+区对应分别形成源极或漏极，第一N+区与第三N+区以及信号输入端相连，第二N+区与信号输出端相连；判断电路，其与所述开关NMOS管的衬底、第二N型场效应管的衬底及第三N型场效应管的衬底和P型场效应管的衬底连接且控制所述开关NMOS管的衬底、第二N型场效应管的衬底及第三N型场效应管的衬底连接到最高电位、控制所述P型场效应管的衬底连接到最低电位。