| 发明名称 | 用于掩埋的导电层的硅化沟槽接触 | ||
| 摘要 | 一种沟槽接触硅化物(78)被形成在接触沟槽的内壁上，所述接触沟槽到达半导体衬底(8)中的掩埋的导电层(30)以降低透穿件结构的寄生电阻。所述沟槽接触硅化物(78)被形成在所述沟槽的底部处、侧壁上以及所述半导体衬底(8)的顶表面的一部分上。所述沟槽随后以中段制程(MOL)电介质加以填充。接触过孔(98)被形成在所述沟槽接触硅化物(78)上。所述沟槽接触硅化物(78)可经由与金属层的单一硅化反应或经由与多个金属层的多个硅化反应而形成。 | ||
| 申请公布号 | CN102210019B | 申请公布日期 | 2013.11.27 |
| 申请号 | CN200980144969.3 | 申请日期 | 2009.10.27 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | D·D·库尔鲍;J·B·约翰逊;P·J·林德格伦;刘学锋;J·S·纳科斯;B·A·奥尔纳;R·M·拉塞尔;D·C·谢里丹 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其包含：半导体衬底中的掩埋的导电层；接触所述掩埋的导电层并接触所述半导体层的顶表面的沟槽接触硅化物；位于所述沟槽接触硅化物上及其内的中段制程电介质；以及直接在所述沟槽接触硅化物下面的经掺杂的半导体区，其中所述经掺杂的半导体区接触所述掩埋的导电层并与环面在拓扑上异质同形。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||