发明名称 |
磁存储器件的记录方法 |
摘要 |
提供了一种磁存储器件的记录方法,该磁存储器件包括将信息保持为磁体的磁化方向的记录层和相对于记录层提供的磁化基准层,其间设有绝缘层,该磁存储器件利用经由绝缘层流动在记录层和磁化基准层之间的电流记录信息,该记录方法甚至在施加的写入脉冲显著高于反转阈值时也能保持与施加的写入脉冲略高于反转阈值的情况相同的错误率水平。磁存储器件的记录方法包括在记录一条信息时施加在相同方向上的一个或更多主脉冲和一个或更多子脉冲,并且在该一个或更多主脉冲后施加该一个或更多子脉冲,该一个或更多主脉冲的每个都为具有足够来记录信息的脉冲高度和脉冲宽度的脉冲,该一个或更多子脉冲的每个都为满足脉冲宽度短于一个或更多主脉冲以及脉冲高度小于一个或更多主脉冲的至少一个条件的脉冲。 |
申请公布号 |
CN102007543B |
申请公布日期 |
2013.11.27 |
申请号 |
CN200980113665.0 |
申请日期 |
2009.04.15 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
大森广之;细见政功;五十岚实;山元哲也;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 |
分类号 |
G11C11/15(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/15(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种磁存储器件的记录方法,该磁存储器件至少包括记录层和磁化基准层,所述记录层由铁磁导体构成,能够改变磁化方向,并且将信息作为磁体的磁化方向而保持,所述磁化基准层的磁化方向是固定的,并且相对于所述记录层而提供且所述记录层与所述磁化基准层之间插设有绝缘层,且所述磁化基准层由铁磁导体构成,并且成为所述磁化方向的基准,所述磁存储器件利用经由所述绝缘层流动在所述记录层和所述磁化基准层之间的电流而记录信息,所述记录方法包括:当记录一条信息时,在相同的方向上施加一个或更多主脉冲以及一个或更多子脉冲;以及在所述一个或更多主脉冲后施加所述一个或更多子脉冲,在所述一个或更多主脉冲后施加的所述一个或更多子脉冲的每个都是满足以下条件至少之一的脉冲,所述条件为:所述一个或更多子脉冲的脉冲宽度短于所述一个或更多主脉冲的脉冲宽度,所述一个或更多子脉冲的脉冲高度小于所述一个或更多主脉冲的脉冲高度,其中所述主脉冲是为了记录信息而具有足够的脉冲高度和脉冲宽度的脉冲。 |
地址 |
日本东京都 |