一种采用COB工艺的LED灯板

摘要

本发明是有关于一种采用COB工艺的LED灯板，包括基板以及以COB工艺封装在所述基板上的LED裸片和交流驱动芯片裸片，所述交流驱动芯片裸片与所述LED裸片通过电路连接。本发明将LED Chip(LED裸片)和Drive IC Chip(驱动集成电路芯片)一同邦定在基板上，弥补了现有LED COB灯板的缺陷，功率因数达0.95以上、总谐波(THD)≤20％、电磁兼容符合EN55015、EN61547等国际标准，适于各种高要求使用环境及大面积应用。

主权项

一种采用COB工艺的LED灯板，其特征在于包括基板以及以COB工艺封装在所述基板上的LED裸片和交流驱动芯片裸片，所述交流驱动芯片裸片与所述LED裸片通过电路连接；所述的交流驱动芯片裸片包括电压输入模块、电压分配模块以及多组缓冲‑电压比较模块和半导体场效应晶体管MOSFET，其中：第一个MOSFET的源极与地电位连接，栅极直接连接于本组缓冲‑电压比较模块的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端，漏极作为驱动芯片的输出端连接至LED裸片的串联线路上；其它MOSFET的源极通过能够等效为电阻的元件组与地电位连接，栅极连接于本组缓冲‑电压比较模块的一个输入端、同时连接于前一组缓冲‑电压比较模块的输出端，漏极作为驱动芯片的输出端连接至LED裸片的串联线路上；上述缓冲‑电压比较模块的另一输入端与电压分配模块连接；电压输入模块的输出端还与LED裸片串联线路的起始端连接，并通过电压分配模块连接于地电位。