存储器和利用该存储器实现检错纠错的方法

摘要

本发明公开了一种存储器和利用该存储器实现检错纠错的方法，用于解决现有存储器可靠性差的技术问题。技术方案是该存储器增加了地址检错电路和数据翻转控制电路。存储单元阵列采用按位交叉的排列方式。利用该存储器实现检错纠错的方法是增加存储器的输入数据建立时间和存储器读出数据的访问时间将检错纠错功能集成到存储器中；由于存储单元阵列采用按位交叉的排列方式，降低了同一个字中多位翻转的概率；数据翻转控制电路方便检错纠错电路的单粒子翻转模拟测试。由于检错纠错电路和按位交叉的数据存储方式相结合，进一步提高了存储器抗单粒子效应水平，进而提高了存储器的可靠性。

主权项

一种存储器，包括输入数据寄存器、输出数据寄存器、输入地址寄存器、存储单元阵列、外围存取电路、校验位产生电路和检错纠错电路，其特征在于：还包地址检错电路和数据翻转控制电路；所述存储单元阵列采用按位交叉结构存储输入数据寄存器中的n位输入数据，n位输入数据经过校验位产生电路产生k位校验码并和校验码一起输出到m位输入数据寄存器中；在外围存取电路的控制下，输入数据寄存器中的数据被分开写入存储单元阵列中对应输入地址的位置或者存储单元阵列中对应输入地址位置的数据被读出到输出数据寄存器中；输出数据寄存器中的m位数据经过检错纠错电路还原成n位输出数据，同时输出错误标记；输入地址检错电路给出输入地址寄存器中地址错误标记；校验位产生电路所产生的m位数据计入数据翻转控制电路进行单粒子辐射效应模拟，然后再输出到检错纠错电路中进行检验。