发明名称 一体型气相掺杂装置
摘要 本实用新型所述的一种一体型气相掺杂装置,是用于直拉法生产易挥发掺杂元素单晶硅生产过程中砷、磷等元素的掺杂,该掺杂装置主要由上部挂件(1)、中部空腔(2)、掺杂导管(5)、石英罩(7)构成;中部空腔(2)内设有一个掺杂导管(5),通过掺杂导管(5)将掺杂元素(4)装入中部空腔(2)内,中部空腔(2)的下端设有与掺杂导管(5)连在一起的石英罩(7)可起到保护硅熔体溅起破坏或污染热屏的作用,同时也可起到阻止掺杂元素(4)的蒸气被真空泵抽走的作用。使用本实用新型,增加了掺杂元素(4)与熔硅的接触时间,提高了掺杂效率,操作方便,安全性能好,克服了现有技术中气相掺杂效率低、掺杂装置易损坏的问题。
申请公布号 CN203307477U 申请公布日期 2013.11.27
申请号 CN201320275201.3 申请日期 2013.05.20
申请人 洛阳单晶硅有限责任公司 发明人 令狐铁兵;张明亮;高林育;仝泉
分类号 C30B15/04(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B15/04(2006.01)I
代理机构 洛阳明律专利代理事务所 41118 代理人 卢洪方
主权项 一体型气相掺杂装置,其特征是:所述的一体型气相掺杂装置主要是由上部挂件(1)、中部空腔(2)、掺杂导管(5)、石英罩(7)构成;其中上部挂件(1)设置在中部空腔(2)的上端与单晶炉上轴连接,掺杂导管(5)的上部设置在中部空腔(2)内,下部连接有石英罩(7)。
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