发明名称 |
一种适用于433MHz频段的射频功率放大器 |
摘要 |
本实用新型公开了一种适用于433MHz频段的射频功率放大器,包括依次连接的输入网络、晶体管和输出网络;输入网络包括电感L1、电容C1、电感L2和电阻R1;晶体管基极依次通过电感L2、电容C1与电感L1连接;电感L1与电容C1连接的一端为输入网络射频信号的输入端,电感L1的另一端接地,晶体管基极通过电阻R1接地;晶体管的集电极和基极之间连接有电阻R2;晶体管集电极通过高频扼流圈L3和电阻R3与电源VCC连接,电源VCC通过电容C2接地;晶体管发射极接地;输出网络包括电感L4和电容C3,晶体管的集电极通过电感L4和电容C3连接,电容C3和电感L4连接的一端与天线连接,电容C3的另一端接地。本实用新型的射频功率放大器适合在433MHz的频段工作,并且具有增益高、输出功率大、频带宽等优点。 |
申请公布号 |
CN203313134U |
申请公布日期 |
2013.11.27 |
申请号 |
CN201320351361.1 |
申请日期 |
2013.06.19 |
申请人 |
深圳市金频科技有限公司 |
发明人 |
罗高涌 |
分类号 |
H03F3/20(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I |
主分类号 |
H03F3/20(2006.01)I |
代理机构 |
广州市华学知识产权代理有限公司 44245 |
代理人 |
黄磊 |
主权项 |
一种适用于433MHz频段的射频功率放大器,包括依次连接的输入网络、晶体管和输出网络;射频信号经过所述输入网络后传送至晶体管,再经输出网络传送至天线;其特征在于:所述输入网络包括电感L1、电容C1、电感L2和电阻R1;所述晶体管基极依次通过电感L2、电容C1与电感L1连接;所述电感L1与电容C1连接的一端为输入网络射频信号的输入端,所述电感L1的另一端接地,所述晶体管基极通过电阻R1接地;所述晶体管的集电极和基极之间连接有电阻R2;所述晶体管集电极通过高频扼流圈L3和电阻R3与电源VCC连接,电源VCC通过电容C2接地;所述晶体管发射极接地;所述输出网络包括电感L4和电容C3,所述晶体管的集电极通过电感L4和电容C3连接,所述电容C3和电感L4连接的一端与天线连接,所述电容C3的另一端接地。 |
地址 |
518172 广东省深圳市龙岗区清林西路深圳市留学生创业园一园330 |