发光二极管芯片的制备方法

摘要

本发明提供一种发光二极管芯片的制备方法，包括：提供定义图形单元的绝缘衬底；在绝缘衬底上形成含n型氮化物半导体层、有源层、p型氮化物半导体层的发光外延结构；去除走道处形成的外延沉积物；在图形单元第一边界，去除p型氮化物半导体层、有源层，露出n型氮化物半导体层；在走道、图形单元第一边界处、图形单元第二边界处的侧壁、以及图形单元第二边界处形成绝缘层、透明电极层；在透明电极层上形成对应图形单元第一边界的N电极、对应图形单元第二边界的P电极、以及连接N电极和P电极的电极桥接。相较于现有技术，本发明减少外延沉积时的边缘效应，有利于外延的横向沉积，提高LED芯片侧壁出光及发光效率，减小LED芯片的热效应。

主权项

一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供外延生长所需的绝缘衬底；所述绝缘衬底定义有图形单元，所述图形单元具有第一边界以及与所述第一边界相对的第二边界，相邻图形单元之间具有走道；在具有图形单元的所述绝缘衬底上形成发光外延结构；所述发光外延结构包括n型氮化物半导体层、位于所述n型氮化物半导体层上的有源层、以及位于所述有源层上的p型氮化物半导体层；去除所述相邻图形单元之间走道处形成的外延沉积物；在所述图形单元的第一边界处，去除所述发光外延结构中的p型氮化物半导体层、有源层，直至露出n型氮化物半导体层，形成n型台阶；在所述走道、所述图形单元第一边界处所述n型台阶上的部分的n型氮化物半导体层之上、所述图形单元第二边界处的侧壁、以及所述图形单元第二边界处的部分的p型氮化物半导体层之上形成绝缘层；在所述图形单元第一边界处所述n型台阶上的部分的n型氮化物半导体层、以及所述图形单元第二边界处的p型氮化物半导体层之上形成透明电极层；在所述透明电极层上形成对应所述图形单元第一边界的N电极、对应所述图形单元第二边界的P电极、以及连接所述N电极和所述P电极的电极桥接。