| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种半导体装置。在高电子移动度晶体管中，能够在维持着常关动作的情况下充分降低接通电阻，由此，能够实现包含高电子移动度晶体管的半导体装置的性能提升。在信道层(CH1)和电子供给层(ES1)之间，设置带隙比电子供给层(ES1)的带隙大的隔离层(SP1)。由此，因隔离层(SP1)的带隙较大而在信道层(CH1)和电子供给层(ES1)的界面附近形成高势垒(电子势垒)。 | ||
| 申请公布号 | CN203312300U | 申请公布日期 | 2013.11.27 |
| 申请号 | CN201320232332.3 | 申请日期 | 2013.05.02 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 安藤裕二;大田一树 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 谢丽娜;关兆辉 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包含场效应晶体管，其特征在于，上述场效应晶体管具有：(a)由第1氮化物半导体层构成的信道层；(b)在上述信道层上形成的、由第2氮化物半导体层构成的隔离层；(c)在上述隔离层上形成的、由第3氮化物半导体层构成的电子供给层；(d)在上述电子供给层上形成的源极电极；(e)与上述源极电极分离地在上述电子供给层上形成的漏极电极；(f)在被上述源极电极和上述漏极电极夹着的上述电子供给层上形成的p型覆盖层；以及(g)在上述p型覆盖层上形成的栅极电极，上述隔离层的层厚小于上述电子供给层的层厚。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||