发明名称 一种基于双光子晶体层的LED芯片
摘要 本实用新型公开了一种基于双光子晶体层的LED芯片,所述LED芯片从下到上依次包括铜散热层、绝缘层、P型电极层、反射层、P型GaN层、N型GaN层、GaN缓冲层、透明电极层和N型引线电极,所述铜散热层的面积大于P型电极层的面积。本实用新型采用铜散热层,既可作为激光剥离时的散热材料,又可解决大功率LED芯片的整体散热问题,还可通过电极微结构大大提高出光效率,同时又解决了大功率芯片载流子的注入问题,改进后的电极结构使得芯片面积大大增加,增加了发光面积和提高了单片的功率,生产方便,成本低。
申请公布号 CN203312352U 申请公布日期 2013.11.27
申请号 CN201320260259.0 申请日期 2013.05.14
申请人 四川海金汇光电有限公司 发明人 罗锦贵
分类号 H01L33/04(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I 主分类号 H01L33/04(2010.01)I
代理机构 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人 冉鹏程
主权项 一种基于双光子晶体层的LED芯片,其特征在于:所述LED芯片从下到上依次包括铜散热层(1)、绝缘层(2)、P型电极层(3)、反射层(4)、P型GaN层(5)、N型GaN层(6)、GaN缓冲层(7)、透明电极层(8)和N型引线电极(9),所述铜散热层(1)的面积大于P型电极层(3)的面积。
地址 629300 四川省遂宁市创新工业园区