发明名称 |
一种芯片供电保护电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种芯片供电保护电路,特别涉及一种利用P沟道场效应管来防止芯片电源反接的保护电路,包括电源接线端、瞬态抑制二极管、稳压二极管、滤波电容、P沟道场效应管、限流电阻和芯片接线端,所述的电源接线端V+和V-通过导线分别与外接电源的正、负极相连;所述的瞬态抑制二极管D1接在电源接线端V+和V-两端;所述的滤波电容C1接在电源接线端V+和V-两端,C2连接在芯片接线端Vout+和Vout-两端;所述的P沟道场效应管Q的漏极D与电源接线端V+相连,其源极S与芯片接线端Vout+相连,其栅极G与稳压二极管的正极相连;所述的稳压二极管D2的负极与芯片接线端Vout+相连;所述的限流电阻R接在稳压二极管D2的正极与芯片接线端Vout-的两端。该电路结构简单、成本低廉,可以有效保护电源供电的各种电子设备不受因电源反接而造成的损坏,减少使用过程中可能出现的经济损失,适用于电路或芯片电源的反接保护。 |
申请公布号 |
CN203312778U |
申请公布日期 |
2013.11.27 |
申请号 |
CN201320363567.6 |
申请日期 |
2013.06.24 |
申请人 |
王建设 |
发明人 |
杨毅;王建设;陈雅胜 |
分类号 |
H02H7/20(2006.01)I;H02H11/00(2006.01)I |
主分类号 |
H02H7/20(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种芯片供电保护电路,其特征在于,包括电源接线端V+和V‑、二极管D1和D2、滤波电容C1和C2、P沟道场效应管Q、限流电阻R和芯片接线端Vout‑和Vout+,所述的电源接线端V+和V‑通过导线分别与外接电源的正、负极相连;所述的瞬态抑制二极管D1接在电源接线端V+和V‑两端;所述的稳压二极管D2的负极与芯片接线端Vout+相连。 |
地址 |
100081 北京市海淀区中关村南大街5号院北京理工大学机械与车辆学院12级硕士7班 |