| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件，所述半导体器件包括：半导体器件形成于其上的半导体衬底；第一焊盘及第二焊盘；形成于半导体衬底之上的第一绝缘膜；嵌入到设置于第一绝缘膜内的沟槽中的多个布线线路；设置为覆盖第一绝缘膜和多个布线线路的第二绝缘膜；形成于第二绝缘膜之上的半导体层；与半导体层连接的源电极；以及与半导体层连接的漏电极。多个布线线路包括设置于与半导体层相对的位置的栅电极。半导体层、源电极、漏电极和栅电极构成ESD保护器件以释放由ESD浪涌导致的从第一焊盘到第二焊盘的电流。 | ||
| 申请公布号 | CN103415920A | 申请公布日期 | 2013.11.27 |
| 申请号 | CN201280012204.6 | 申请日期 | 2012.03.06 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 金子贵昭;井上尚也;林喜宏 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 陈华成 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体器件形成于其上的半导体衬底；第一焊盘及第二焊盘；形成于所述半导体衬底之上的第一绝缘膜；多个布线线路，嵌入到设置于所述第一绝缘膜中的沟槽中；设置为覆盖所述第一绝缘膜和所述多个布线线路的第二绝缘膜；形成于所述第二绝缘膜之上的半导体层；与所述半导体层连接的源电极；以及与所述半导体层连接的漏电极，其中所述多个布线线路包括设置于与所述半导体层相对的位置的栅电极，并且其中所述半导体层、所述源电极、所述漏电极和所述栅电极构成ESD保护器件，以从所述第一焊盘向所述第二焊盘释放由ESD浪涌导致的电流。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||