增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法

摘要

本发明公布了一种增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法。具体步骤是：（1）检查器件外观，获取表面完好的器件；（2）“两线法”测量器件阈值电压；（3）判定是否存在其它损坏，去除内部存在其它损坏的器件；（4）“三线法”测量器件阈值电压；（5）判定栅内引线是否脱落。本发明采用“两线法”和“三线法”，对增强型功率MOS器件的阈值电压进行测量，根据测量结果，判定增强型功率MOS器件栅内引线是否脱落。本发明具有操作简便，测量耗时短、成本低、效率高的优点。

主权项

一种增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法，包括以下步骤：（1）检查器件外观：检查待测增强型功率MOS器件的外观，观察该增强型功率MOS器件表面是否存在物理性损坏，去除表面存在物理性损坏的增强型功率MOS器件，获得表面完好的增强型功率MOS器件；（2）“两线法”测量器件阈值电压：对表面完好的增强型功率MOS器件，采用“两线法”，测量该待测增强型功率MOS器件的阈值电压；（3）判定是否存在其它损坏：如果“两线法”未测出该待测增强型功率MOS器件的阈值电压，则判定该增强型功率MOS器件内部存在其它损坏，去除内部存在其它损坏的增强型功率MOS器件；如果“两线法”测出该待测增强型功率MOS器件的阈值电压，则执行步骤（4）；（4）“三线法”测量器件阈值电压：对“两线法”测出阈值电压的增强型功率MOS器件，采用“三线法”，测量该待测增强型功率MOS器件的阈值电压；（5）判定栅内引线是否脱落：如果“三线法”测出该待测增强型功率MOS器件的阈值电压，则判定该待测增强型功率MOS器件栅内引线正常；如果“三线法”未测出该待测增强型功率MOS器件的阈值电压，则判定该待测增强型功率MOS器件栅内引线脱落。