| 发明名称 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明，提供粘接剂残留减少、成品率优异的半导体装置的结构及其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法包括：在热剥离性粘接层（安装膜）的主面上配置多个半导体元件（106）的工序；使用半导体密封用树脂组合物，形成将安装膜主面上的多个半导体元件（106）密封的密封件层（108）的工序；和通过将安装膜剥离，使密封件层（108）的下表面（30）和半导体元件（106）的下表面（20）露出的工序。将安装膜剥离的工序之后的密封件层（108）的下表面（30）的接触角，在使用甲酰胺测定时确定为70度以下。 | ||
| 申请公布号 | CN103415923A | 申请公布日期 | 2013.11.27 |
| 申请号 | CN201280012160.7 | 申请日期 | 2012.03.09 |
| 申请人 | 住友电木株式会社 | 发明人 | 小谷贵浩;前田将克 |
| 分类号 | H01L23/12(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在热剥离性粘接层的主面上配置多个半导体元件的工序；使用半导体密封用树脂组合物，形成将所述热剥离性粘接层的所述主面上的多个所述半导体元件密封的密封件层的工序；和通过将所述热剥离性粘接层剥离，使所述密封件层的下表面和所述半导体元件的下表面露出的工序，将所述热剥离性粘接层剥离的所述工序之后的所述密封件层的所述下表面的接触角，在使用甲酰胺测定时为70度以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||