发明名称 一种高效释放电路结构
摘要 一种高效释放电路结构,其特征在于:包括一NPN型三极管和一N型MOS场效应管,N型MOS场效应管的漏极通过第四电阻后分出两路,其中一路通过第三电容接地,N型MOS场效应管的源极接地,N型MOS场效应管的栅极与NPN型三极管的集电极连接,NPN型三极管的发射极接地,NPN型三极管的基极分出两路,一路通过第一电阻接地,另一路通过第二电阻分出两路,一路与电源连接,另一路通过第二二极管后分出两路,一路通过第二电容接地,另一路通过第三电阻与NPN型三极管的集电极连接,所述第二二极管由电源向第三电阻方向导通。本实用新型在打开电源后不接通第四电阻,而关闭电源后自动接通第四电阻释放第三电容的电荷,提高了开机状态下的效率,节约了能源。
申请公布号 CN203313051U 申请公布日期 2013.11.27
申请号 CN201320394625.1 申请日期 2013.07.04
申请人 苏州工业园区华波电子科技有限公司 发明人 郑方耀
分类号 H02M1/32(2007.01)I 主分类号 H02M1/32(2007.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 马明渡
主权项 一种高效释放电路结构,其特征在于:包括一NPN型三极管和一N型MOS场效应管,N型MOS场效应管的漏极通过第四电阻后分出两路,其中一路通过第三电容接地,N型MOS场效应管的源极接地,N型MOS场效应管的栅极与NPN型三极管的集电极连接,NPN型三极管的发射极接地,NPN型三极管的基极分出两路,一路通过第一电阻接地,另一路通过第二电阻分出两路,一路与电源连接,另一路通过第二二极管后分出两路,一路通过第二电容接地,另一路通过第三电阻与NPN型三极管的集电极连接,所述第二二极管由电源向第三电阻方向导通。
地址 215000 江苏省苏州市工业园区312国道86公里处苏州低压电器集团厂区4楼