发明名称 |
一种高效释放电路结构 |
摘要 |
一种高效释放电路结构,其特征在于:包括一NPN型三极管和一N型MOS场效应管,N型MOS场效应管的漏极通过第四电阻后分出两路,其中一路通过第三电容接地,N型MOS场效应管的源极接地,N型MOS场效应管的栅极与NPN型三极管的集电极连接,NPN型三极管的发射极接地,NPN型三极管的基极分出两路,一路通过第一电阻接地,另一路通过第二电阻分出两路,一路与电源连接,另一路通过第二二极管后分出两路,一路通过第二电容接地,另一路通过第三电阻与NPN型三极管的集电极连接,所述第二二极管由电源向第三电阻方向导通。本实用新型在打开电源后不接通第四电阻,而关闭电源后自动接通第四电阻释放第三电容的电荷,提高了开机状态下的效率,节约了能源。 |
申请公布号 |
CN203313051U |
申请公布日期 |
2013.11.27 |
申请号 |
CN201320394625.1 |
申请日期 |
2013.07.04 |
申请人 |
苏州工业园区华波电子科技有限公司 |
发明人 |
郑方耀 |
分类号 |
H02M1/32(2007.01)I |
主分类号 |
H02M1/32(2007.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
马明渡 |
主权项 |
一种高效释放电路结构,其特征在于:包括一NPN型三极管和一N型MOS场效应管,N型MOS场效应管的漏极通过第四电阻后分出两路,其中一路通过第三电容接地,N型MOS场效应管的源极接地,N型MOS场效应管的栅极与NPN型三极管的集电极连接,NPN型三极管的发射极接地,NPN型三极管的基极分出两路,一路通过第一电阻接地,另一路通过第二电阻分出两路,一路与电源连接,另一路通过第二二极管后分出两路,一路通过第二电容接地,另一路通过第三电阻与NPN型三极管的集电极连接,所述第二二极管由电源向第三电阻方向导通。 |
地址 |
215000 江苏省苏州市工业园区312国道86公里处苏州低压电器集团厂区4楼 |