| 发明名称 | 一种CuxO基电阻型存储器的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种CuxO基电阻型存储器制备方法，属于集成电路制造技术领域。通过在CuSi化合物缓冲层上氧化形成CuxO基存储介质后，再对CuxO基存储介质进行硅化处理，能够在CuxO基存储介质中的掺入的更多Si元素，实现Si元素在CuxO基存储介质中整体分布相对更均匀，特别是在CuxO基存储介质上表层也形成了Si元素掺杂，从而提高该电阻型存储器的Ron和数据保持特性。采用该方法制备的CuxO电阻型存储器具有低功耗、长数据保持特性的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101894907B | 申请公布日期 | 2013.11.27 |
| 申请号 | CN200910051873.4 | 申请日期 | 2009.05.21 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 林殷茵;吕杭炳;周鹏;王明 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人 | 吴桂琴 |
| 主权项 | 一种CuxO基电阻型存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对铜下电极构图硅化处理生成CuSi化合物缓冲层；(2)对所述CuSi化合物缓冲层氧化，生成CuxO基存储介质；(3)在所述CuxO基存储介质上硅化处理；(4)构图形成上电极。 | ||
| 地址 | 200433 上海市邯郸路220号 | ||