一种基于MOS器件的开关驱动电路

摘要

本发明公开了一种基于MOS器件的开关驱动电路，包括行驱动电路和列驱动电路两个部分，每部分分别由控制信号、测量信号、控制电路和驱动电路四个部分组成。在开关驱动中，驱动电路采用冗余和可靠性设计方法，通过对控制电路和驱动电路的扩展设计，并采用控制信号与测量信号相比对的闭环控制方法，可实现开关的高可靠驱动，解决了大电流驱动电路可靠性的问题，减少了驱动电路的热耗，提高了驱动电路的可靠性和安全性。可应用于对于可靠性要求较高的矩阵开关驱动场合。

主权项

一种基于MOS器件的开关驱动电路，其特征在于：包括行驱动电路和列驱动电路，其中，行驱动电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、PMOS管QP1、PMOS管QP2、PMOS管QP3、PMOS管QP4、三极管QC1、三极管QC2、二极管DIm、二极管DIs和二极管DIout；列驱动电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、NMOS管QN1、NMOS管QN2、NMOS管QN3、NMOS管QN4、三极管QC3、三极管QC4、三极管QC5、三极管QC6、二极管Dcm、二极管Dcs、二极管Dcin和电容C1；行驱动控制信号经过二极管DIm之后输入到电阻R5的一端，同时经过二极管DIs输出，用于行驱动控制信号的测量；电阻R5的另一端通过电阻R6接地，同时连接到三极管QC1的基极和三极管QC2的基极，三极管QC1和三极管QC2串联连接，三极管QC1的发射极和三极管QC2的集电极与电阻R4的一端连接，三极管QC2的发射极接地，三极管QC1的集电极连接电阻R2的一端；电阻R4的另一端连接PMOS管QP3和PMOS管QP4的栅极，同时通过电阻R3连接PMOS管QP3和PMOS管QP4的源极，PMOS管QP3和PMOS管QP4并连连接，PMOS管QP3和PMOS管QP4的漏极通过二极管DIout输出给负载；电阻R2的另一端连接PMOS管QP1和PMOS管QP2的栅极，同时通过电阻R1连接PMOS管QP1的源极、PMOS管QP2的源极和驱动电源VDD，PMOS管QP1和PMOS管QP2并连连接，PMOS管QP1和PMOS管QP2的漏极连接PMOS管QP3和PMOS管QP4的源极；经过负载的信号作为列驱动电路的输入信号经过二极管Dcin连接到并联的NMOS管QN1和NMOS管QN2的漏极，NMOS管QN1的源极、NMOS管QN2的源极、NMOS管QN3的漏极和NMOS管QN4的漏极连接在一起，NMOS管QN1的栅极、NMOS管QN2的栅极、NMOS管QN3的栅极和NMOS管QN4的栅极连接在一起，NMOS管QN3和NMOS管QN4的源极接地，辅助电源VCC与三极管QC3的发射极和电阻R7的一端连接，三极管QC3和三极管QC4串联连接，电阻R7的另一端与三极管QC3和三极管QC4的基极连接，同时通过电阻R8与三极管QC5的集电极连接，三极管QC4的集电极连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端通过电阻R10接地，同时连接到NMOS管QN1的栅极，电容C1与电阻R10并联连接，列驱动控制信号通过二极管Dcm输入到电阻R11的一端，同时还通过二极管Dcs输出，用于列驱动控制信号的测量，电阻R11的另一端通过电阻R12接地，同时与三极管QC5的基极和三极管QC6的基极连接在一起，三极管QC5与三极管QC6串联之后，通过三极管QC6的发射极接地。