发明名称 形成双面电磁遮蔽层之半导体封装方法及构造
摘要 揭示一种形成双面电磁遮蔽层之半导体封装方法,特点在于基板不用设计特殊的接地结构或切割道镀通孔亦不需要加厚,并达到电磁遮蔽层接地连接之容易制造。首先,提供一基板母片,设有在基板单元角隅并为接地连接之对位标记。在黏晶与封胶步骤之后,由基板母片之下表面形成复数个半切沟槽,系沿着切割道而形成并贯穿基板母片。利用一第一电磁遮蔽层图案化形成在基板母片之下表面,以覆盖连接至对位标记,并且第一电磁遮蔽层更形成于半切沟槽内。在单体化切割封胶体之后,形成一第二电磁遮蔽层于封胶体之顶面与切割侧面,且第二电磁遮蔽层更连接至第一电磁遮蔽层。
申请公布号 TWI417040 申请公布日期 2013.11.21
申请号 TW100115358 申请日期 2011.05.02
申请人 力成科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号 发明人 徐守谦
分类号 H05K9/00;H01L21/58;H01L21/70;H01L25/04 主分类号 H05K9/00
代理机构 代理人 许庆祥 高雄市苓雅区新光路24巷31号
主权项
地址 新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号