发明名称 |
多层基底核心结构、电子系统及基底核心结构之制造方法 |
摘要 |
本文提供一种制造基底核心结构之方法,以及根据此方法所形成之基底核心结构。方法包括:雷射钻孔穿过初始绝缘层之第一组通孔开口、以导电材料填充第一组通孔开口以提供第一组导电通孔、在初始绝缘层的相对侧上提供第一及第二图案化导电层、在第一图案化导电层上提供辅助绝缘层、雷射钻孔穿过辅助绝缘层之第二组通孔开口、以导电材料填充第二组通孔开口以提供第二组导电通孔、以及在辅助绝缘层的暴露侧上提供辅助图案化导电层,第二组导电通孔在其相对侧上接触第一图案化导电层及辅助图案化导电层。 |
申请公布号 |
TWI417011 |
申请公布日期 |
2013.11.21 |
申请号 |
TW097123727 |
申请日期 |
2008.06.25 |
申请人 |
英特尔股份有限公司 美国 |
发明人 |
李永刚;伊斯兰 沙拉玛;查瑞 古鲁墨西 |
分类号 |
H05K3/06;H05K3/04;H01L21/31;H05K3/46 |
主分类号 |
H05K3/06 |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |