电荷平衡场效应电晶体

摘要

形成一电场场效应电晶体之方法如下：提供一第一传导类型之一半导体区，该半导体区具有在其上延伸之一第二传导类型之一磊晶层。形成延伸穿过该磊晶层并终止于该半导体区内之一沟槽。以双途斜角植入方式执行该第一传导类型之掺质步骤，藉此沿该沟槽侧壁形成该第一传导类型之一区。以临界电压调整植入方式执行该第二传导类型之掺质步骤，藉此将沿该沟槽上侧壁延伸之该第一传导类型区之一部分之一导体类型转换成该第二传导类型。形成侧接该沟槽各侧壁之该第一传导类型之源区。