半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件之制造方法。提供一具有一第一区和一第二区之半导体基底，形成一高介电常数介电层于半导体基底上方，形成一盖层于第一区之高介电常数介电层上方，形成一第一金属层于第一区之盖层上方和第二区之高介电常数介电层上方，形成一第一闸极堆叠于第一区中和一第二闸极堆叠于第二区中，在第二闸极堆叠之第一金属层上进行一处理制程时，保护第一闸极堆叠之第一金属层，及形成一第二金属层于第一闸极堆叠之第一金属层上方和第二闸极堆叠之处理过的第一金属层上方。