发明名称 咔唑化合物
摘要 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意,分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3),所述化合物中取代基的键被氢取代。此外,使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3),所述化合物中取代基的键被氢取代。;(G1)
申请公布号 TWI415922 申请公布日期 2013.11.21
申请号 TW100134616 申请日期 2011.09.26
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 日本 发明人 尾坂晴惠;高须贵子;门间裕史;川田优子;下垣智子;能渡广美;铃木恒德;大泽信晴;濑尾哲史
分类号 C09K11/06;C07C25/22;C07D209/88;H01L51/54;H05B33/14 主分类号 C09K11/06
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本
您可能感兴趣的专利