发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 一种半导体装置包括一半导体基体、配置在该半导体基体的一上表面上且连接到其上之一积体电路的一连接电极、穿透该半导体基体及该连接电极的一贯穿电极、及介于该半导体基体与该贯穿电极之间的一绝缘部分。该贯穿电极被整体地形成以从该半导体基体及该连接电极的上表面向外突出,且在该贯穿电极穿透该连接电极的一区域中被连接到该连接电极。
申请公布号 TWI416676 申请公布日期 2013.11.21
申请号 TW097129635 申请日期 2008.08.05
申请人 史班逊有限公司 美国 发明人 星野雅孝;福山良太;田谷耕治
分类号 H01L23/48;H01L21/60 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项
地址 美国