发明名称 蚀刻方法及记忆媒体
摘要 本发明之蚀刻方法系藉由电浆而对基板上形成之加氟碳膜进行蚀刻,其包括:藉由含氧处理气体之电浆进行蚀刻之第1阶段;及藉由含氟处理气体之电浆进行蚀刻之第2阶段。
申请公布号 TWI416622 申请公布日期 2013.11.21
申请号 TW097104925 申请日期 2008.02.05
申请人 东京威力科创股份有限公司 日本 发明人 野泽俊久;宫谷光太郎;堀寿靖;广濑繁和
分类号 H01L21/3065;H01L21/768 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本