| 摘要 |
提议一非挥发性半导体记忆装置，可以比知更自由地设定选择记忆单元电晶体中累积电荷之际的电压。非挥发性半导体记忆装置(1)，在选择记忆单元电晶体(115)中累积电荷之际，从P型MOS电晶体(9b)施加高电压的写入禁止电压，且从N型MOS电晶体(15a)施加低电压的写入电压，对选择记忆单元电晶体(115)或非选择记忆单元电晶体(116)施加电压的任务分担，分配至P型MOS电晶体(9b)及N型MOS电晶体(15a)，藉此可以个别调整P型MOS电晶体(9b)及N型MOS电晶体(15a)的闸极电压及源极电压，最后可以设定闸极基板间电压为例如4V等。 |
