发明名称 半导体装置之制造方法及半导体装置
摘要 目的在于提升3次元构造之半导体装置之元件特性。具备以下构成:将多数片半导体基板1S贴合,使形成于各个半导体基板1S之半导体晶片的积体电路互相电连接而获得所要之积体电路;分别分开设置贯穿各半导体基板1S之主背面间的贯穿电极8,与分离该贯穿电极8的贯穿分离部10。如此则,可于半导体基板1S形成贯穿分离部形成用之绝缘沟槽部后,形成MISFETQ,再于其后形成贯穿电极形成用之导通沟槽部。
申请公布号 TWI416663 申请公布日期 2013.11.21
申请号 TW095131419 申请日期 2006.08.25
申请人 日立制作所股份有限公司 日本;本田技研工业股份有限公司 日本 发明人 守屋聪;斋藤敏男;横山悟一;藤原刚;佐藤英纪;宫川宣明
分类号 H01L21/768;H01L21/02 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本