发明名称 具有高度发光效率之发光二极体
摘要 本发明揭露一种发光二极体,包含基板、第一传导型态半导体层、发光层、第二传导型态半导体层以及复数个层状结构。第一传导型态半导体层、发光层及第二传导型态半导体层依序形成于基板上。复数个层状结构形成于第二传导型态半导体层之上表面上,致使该上表面中之部份区域外露。每一个层状结构系由至少一具有一高折射率之第一绝缘层与至少一具有一低折射率之第二绝缘层相互交错堆叠而成,藉此从发光二极体中之发光层所发射之光线可被该复数个层状结构所反射,以提升发光二极体之光取出效率。
申请公布号 TWI416766 申请公布日期 2013.11.21
申请号 TW098101054 申请日期 2009.01.13
申请人 广镓光电股份有限公司 台中市大雅区中部科学园区科雅路22号 发明人 林素慧;许圣贤;戴俊杰;蔡宗良
分类号 H01L33/46 主分类号 H01L33/46
代理机构 代理人
主权项
地址 台中市大雅区中部科学园区科雅路22号