| 摘要 |
一种半导体元件之制造方法包含：形成一第一半导体层于一基板上，第一半导体层之材料与基板之材料不相同；蚀刻第一半导体层之一上表面以形成至少一蚀刻坑，蚀刻坑系由上表面延伸至第一半导体层内，其中第一半导体层内之至少一缺陷系位于蚀刻坑之下方；沉积一阻隔层于第一半导体层之上表面以覆盖上表面及蚀刻坑；减薄阻隔层以露出上表面之至少一部分，并使蚀刻坑仍由阻隔层覆盖；以及在减薄阻隔层之后，形成一第二半导体层以覆盖上表面之露出之部分及蚀刻坑，第二半导体层系具有与第一半导体层之材料相同或相容之材料，其中阻隔层系覆盖蚀刻坑并阻隔位于第一半导体层内之缺陷延伸至第二半导体层内。 |
