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本发明是提供具有在电极间不会发生电阻成分的P电极的氮化物半导体装置及其制造方法。P电极12是由一第一钯膜13、一钽膜14及第二钯膜15所构成，并形成于由氮化物半导体所构成的一P型接触层11上。在第二钯膜15上，形成一垫电极22。第二钯膜15是全面性地形成于构成P电极12的钽膜14上，其具有防止钽膜14的氧化之抗氧化膜的功能。藉由此一第二钯膜15可以防止钽膜14的氧化，因此可以抑制发生于P电极12与垫电极22之间的电阻成分。藉此可以防止P电极12与垫电极22的接触不良，因而可以实现低电阻的P电极12。 |
