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发明名称
高级次矽烷组成物及附膜基板之制造方法
摘要
本发明系有关高级次矽烷组成物,其为含有高级次矽烷化合物及溶剂之组成物中,前述溶剂含有,具有1个或2个双键但不具有烷基,仅自碳及氢构成的折射率为1.40至1.51,比介电常数为3.0以下,且分子量为180以下之环状碳化氢而成。本发明之高级次矽烷组成物为,可藉由液相步骤安全形成具有所希望膜厚之良质的膜。
申请公布号
TWI415856
申请公布日期
2013.11.21
申请号
TW099100387
申请日期
2010.01.08
申请人
独立行政法人科学技术振兴机构 日本
发明人
下田达也;松木安生;增田贵史
分类号
C07F7/08
主分类号
C07F7/08
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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