发明名称 高级次矽烷组成物及附膜基板之制造方法
摘要 本发明系有关高级次矽烷组成物,其为含有高级次矽烷化合物及溶剂之组成物中,前述溶剂含有,具有1个或2个双键但不具有烷基,仅自碳及氢构成的折射率为1.40至1.51,比介电常数为3.0以下,且分子量为180以下之环状碳化氢而成。本发明之高级次矽烷组成物为,可藉由液相步骤安全形成具有所希望膜厚之良质的膜。
申请公布号 TWI415856 申请公布日期 2013.11.21
申请号 TW099100387 申请日期 2010.01.08
申请人 独立行政法人科学技术振兴机构 日本 发明人 下田达也;松木安生;增田贵史
分类号 C07F7/08 主分类号 C07F7/08
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本