发明名称 |
薄膜电晶体及其制造方法 |
摘要 |
一种薄膜电晶体的制造方法。于基板上依序形成闸极、闸绝缘层、氧化物半导体材料层、导电层及图案化光阻层。图案化光阻层包括二个第一部及连接于第一部之间的第二部,第一部之厚度大于第二部之厚度。以图案化光阻层为罩幕,移除未被图案化光阻层覆盖之导电层与氧化物半导体材料层,以形成氧化物半导体通道层及位于氧化物半导体通道层与图案化光阻层之间的图案化导电层。移除部分图案化光阻层,以减少第一部之厚度直到第二部被移除。以未被移除之第一部为罩幕,移除未被第一部覆盖之图案化导电层,以于氧化物半导体通道层上形成源极与汲极。 |
申请公布号 |
TWI416736 |
申请公布日期 |
2013.11.21 |
申请号 |
TW099140006 |
申请日期 |
2010.11.19 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |
发明人 |
高逸群;陈惠军;林俊男;吴淑芬 |
分类号 |
H01L29/786;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |