半导体记忆装置及其制造方法

摘要

目的在于促进具有记忆格阵列之非挥发性半导体记忆装置之高信赖化，该记忆格阵列系将电阻变化型元件与二极体或电晶体等之选择元件连接而成者。针对记忆格之电阻变化型元件，该记忆格为具有大的漏电流而会引起性能不充分的选择元件者，即使对该记忆格施加资料之记录用的电压之情况下，亦可以将其设为不致于到达改写所需电力之高电阻值之状态。如此则，可抑制不良之选择元件之漏电流引起之装置之误动作。