氮化物半导体结构及其制造方法

摘要

一种氮化物半导体结构及其制造方法，此结构包括基材、未经掺杂的氮化物缓冲层以及氮化物半导体堆叠结构。未经掺杂的氮化物缓冲层位于基材上。氮化物半导体堆叠结构位于未经掺杂的氮化物缓冲层上，其中氮化物半导体堆叠结构包括第一型掺杂层、位于第一型掺杂层上的主动层以及位于主动层上的第二型掺杂层。特别是，在第一型掺杂层中具有多个奈米孔洞。