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发明名称
半导体装置的制造方法
摘要
本发明的目的在于提供一种有防水性且可靠性高的半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在基板上依次形成剥离层、无机绝缘层、包括有机化合物层的元件形成层;将剥离层和无机绝缘层剥离或者将基板和无机绝缘层剥离;将无机绝缘层的一部分或无机绝缘层以及元件形成层的一部分移除来至少使无机绝缘层分离成为多个部分,并在分离的无机绝缘层的外缘层叠有机化合物层、挠性基板和黏合剂中的任两个或更多;以及将有机化合物层、挠性基板和黏合剂中的任两个或更多层叠的区域分割。
申请公布号
TWI416775
申请公布日期
2013.11.21
申请号
TW095144221
申请日期
2006.11.29
申请人
半导体能源研究所股份有限公司 日本
发明人
山田大干
分类号
H01L51/40;H01L21/84;H01L21/56
主分类号
H01L51/40
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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