电浆蚀刻装置及以该装置选择掺杂区或接触区的半导体制程方法

摘要

本发明提供一种电浆蚀刻装置，可针对一表面镀有抗反射层或隔绝层的半导体基材进行选择性蚀刻，以定义出掺杂区或接触区，其特征在于电浆蚀刻装置包括一选择性蚀刻遮板，当进行蚀刻制程时，以选择性蚀刻遮板为罩幂，对半导体基材进行非等向性蚀刻，产生一开放图案。