发明名称 发光二极体
摘要 一种发光二极体,包括一第一电极、一导电基底层、一反射层、一第一电性半导体层、一发光层、一第二电性半导体层及至少一第二电极,其中该导电基底层形成于该第一电极上,该反射层形成于该导电基底层上,该第一电性半导体层形成于该反射层上,该发光层形成于该第一电性半导体层上,该第二电性半导体层形成于该发光层上,该至少一第二电极形成于该第二电性半导体层上,又第二电性半导体层下另设有至少一第三电极,且该第二电极与第三电极之间系设有至少一连接通道,使该第二电极与第三电极得以电性连接。
申请公布号 TWI416765 申请公布日期 2013.11.21
申请号 TW100101675 申请日期 2011.01.17
申请人 荣昱顾问有限公司 台南市南区英五街23号 发明人 杜全成
分类号 H01L33/38 主分类号 H01L33/38
代理机构 代理人 潘海涛 台北市松山区复兴北路69号3楼;袁铁生 台北市松山区复兴北路69号3楼
主权项
地址 台南市南区英五街23号