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发明名称
发光二极体
摘要
一种发光二极体,包括一第一电极、一导电基底层、一反射层、一第一电性半导体层、一发光层、一第二电性半导体层及至少一第二电极,其中该导电基底层形成于该第一电极上,该反射层形成于该导电基底层上,该第一电性半导体层形成于该反射层上,该发光层形成于该第一电性半导体层上,该第二电性半导体层形成于该发光层上,该至少一第二电极形成于该第二电性半导体层上,又第二电性半导体层下另设有至少一第三电极,且该第二电极与第三电极之间系设有至少一连接通道,使该第二电极与第三电极得以电性连接。
申请公布号
TWI416765
申请公布日期
2013.11.21
申请号
TW100101675
申请日期
2011.01.17
申请人
荣昱顾问有限公司 台南市南区英五街23号
发明人
杜全成
分类号
H01L33/38
主分类号
H01L33/38
代理机构
代理人
潘海涛 台北市松山区复兴北路69号3楼;袁铁生 台北市松山区复兴北路69号3楼
主权项
地址
台南市南区英五街23号
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