| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明揭露一种系统及方法，用以制造具有穿矽导孔(TSV)的半导体晶片连接。一半导体晶片制作有先导孔制程的穿矽导孔及后导孔制程的穿矽导孔，为了建立一低电阻的路径，供相邻晶片之间的晶片连接，以及提供一低电阻的路径供多重晶片之间的馈孔(feedthrough)通道。 |
| 申请公布号 |
TWI416693 |
申请公布日期 |
2013.11.21 |
| 申请号 |
TW099105432 |
申请日期 |
2010.02.25 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
罗明健;吴国雄 |
| 分类号 |
H01L23/538;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L23/538 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
