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Leistungshalbleiterbauelement mit – einem in einem Halbleitersubstrat gebildeten Kollektorgebiet (82) eines ersten Leitfähigkeitstyps, – einem in dem Kollektorgebiet gebildeten Basisgebiet (86) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, – einem im Basisgebiet gebildeten Emittergebiet (88) des ersten Leitfähigkeitstyps, – einem um eine vorgegebene Entfernung vom Basisgebiet beabstandeten Kanalstopgebiet (90), – einem einen Film (92) aus halbisolierendem polykristallinem Silicium beinhaltenden, auf dem Halbleitersubstrat aufgebrachten und zur Elektrodenbildung im Emittergebiet, im Basisgebiet und im Kanalstopgebiet freiliegend strukturierten Mehrschichtaufbau und – einer mit dem Basisgebiet verbundenen Basiselektrode (98), einer mit dem Emittergebiet verbundenen Emitterelektrode (100) und einer mit dem Kanalstopgebiet verbundenen Äquipotentialelektrode (102), – wobei der Mehrschichtaufbau einen Isolationsfilm (84) mit unterschiedlichen Dicken im Emittergebiet (88) und Basisgebiet (86), den Film (92) aus halbisolierendem polykristallinem Silicium und einen Nitridfilm (94) beinhaltet, die nacheinander auf dem Halbleitersubstrat aufgebracht sind, wobei der Isolationsfilm (84) im Emittergebiet (88) 50 nm bis 500 nm dick, im Basisgebiet (86) 100 nm bis 1.000 nm dick und in einem Feldgebiet zwischen dem Basisgebiet und dem Kanalstopgebiet (90) 350 nm bis 2.000 nm dick ist und der Nitridfilm und der Film aus halbisolierendem polykristallinem Silicium eine anisotrop geätzte senkrechte Seitenwand aufweisen und der Isolationsfilm eine isotrop geätzte schräge Seitenwand aufweist.
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