发明名称 一种薄膜电晶体阵列基板及其制造方法
摘要 本发明提供了一种薄膜电晶体阵列基板及其制造方法。该薄膜电晶体阵列基板包括基板,第一金属层,绝缘层,半导体层,第二金属层,钝化层和透明电极层依续形成在该基板上,其中第一金属层至少具有三层铝薄膜,然第二金属层亦可为三层铝薄膜组成,该三层铝薄膜具有不同的膜质致密度且在不同的镀膜参数下形成。因此,本发明至少具有三层铝薄膜不仅具有低电阻率的特性,而且还可以防止铝金属在高温镀膜过程中产生的小丘(hillock)生长的现象。
申请公布号 TWI416735 申请公布日期 2013.11.21
申请号 TW099125317 申请日期 2010.07.30
申请人 深超光电(深圳)有限公司 中国 发明人 黄展宽;黄荣士;王宣丽;张晓星;高翔;李金磊
分类号 H01L29/786;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/285 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 虞彪 台北市中山区长安东路1段21号3楼
主权项
地址 中国