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Solarzelle (10, 10a, 20, 30, 40) mit einer p-Lichtabsorptionsschicht (13) und einer ersten über der Lichtabsorptionsschicht (13) gestapelten Halbleiterschicht (14), die ein n-Typ ist, wobei die erste Halbleiterschicht (14) ein durch eine allgemeine Formel Zn1-ZCZO, wobei das Element C mindestens eines aus Be, Mg, Ca, Sr und Ba ausgewähltes ist, und 0 < Z < 1 ist, ausgedrücktes Oxid als eine Hauptkomponente aufweist mit einem Anteil von 90 Gew.-% oder mehr.
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