发明名称 HALBLEITERSTRUKTUR, HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER HALBLEITERSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSTRUKTUR
摘要 Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine Halbleiterstruktur einen ersten monokristallinen Halbleiterbereich (110) mit einer ersten Gitterkonstante in einer Bezugsrichtung; einen zweiten monokristallinen Halbleiterbereich (120) mit einer zweiten Gitterkonstante in der Bezugsrichtung, welche von der ersten Gitterkonstante verschieden ist, auf dem ersten monokristallinen Halbleiterbereich (110); und eine Metallschicht (130), die auf und in Kontakt mit dem zweiten monokristallinen Halbleiterbereich (120) ausgebildet ist.
申请公布号 DE102013105057(A1) 申请公布日期 2013.11.21
申请号 DE201310105057 申请日期 2013.05.16
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG 发明人 PLAPPERT, MATHIAS;SCHULZE, HANS-JOACHIM
分类号 H01L29/04;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/324;H01L23/482 主分类号 H01L29/04
代理机构 代理人
主权项
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