发明名称 |
HALBLEITERSTRUKTUR, HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER HALBLEITERSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSTRUKTUR |
摘要 |
Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine Halbleiterstruktur einen ersten monokristallinen Halbleiterbereich (110) mit einer ersten Gitterkonstante in einer Bezugsrichtung; einen zweiten monokristallinen Halbleiterbereich (120) mit einer zweiten Gitterkonstante in der Bezugsrichtung, welche von der ersten Gitterkonstante verschieden ist, auf dem ersten monokristallinen Halbleiterbereich (110); und eine Metallschicht (130), die auf und in Kontakt mit dem zweiten monokristallinen Halbleiterbereich (120) ausgebildet ist.
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申请公布号 |
DE102013105057(A1) |
申请公布日期 |
2013.11.21 |
申请号 |
DE201310105057 |
申请日期 |
2013.05.16 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG |
发明人 |
PLAPPERT, MATHIAS;SCHULZE, HANS-JOACHIM |
分类号 |
H01L29/04;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/324;H01L23/482 |
主分类号 |
H01L29/04 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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