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Verfahren zur Herstellung einer Halbleitertransistorstruktur (100), umfassend: Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (40) mit einer horizontalen Hauptoberfläche (15); Ausbilden eines vertikalen Grabens (19a), der sich von der horizontalen Hauptoberfläche (15) in den Halbleiterkörper (40) erstreckt; Ausbilden einer ersten Dielektrikumsschicht (7) in dem vertikalen Graben (19a,); Ausbilden eines ersten leitfähigen Gebiets (13a) derart auf der ersten Dielektrikumsschicht (7) in dem vertikalen Graben (19a), dass das erste leitfähige Gebiet (13a) von der horizontalen Hauptoberfläche (15) zurückgezogen ist; Auffüllen des vertikalen Grabens (19a,) mit einer zweiten Dielektrikumsschicht (8), die das ersten leitfähigen Gebiet (13a) bedeckt; und Entfernen der ersten Dielektrikumsschicht (7) und der zweiten Dielektrikumsschicht (8) aus einem oberen Abschnitt des vertikalen Grabens (19a) um den Halbleiterkörper an einer Seitenwand des vertikalen Grabens (19a) freizulegen, wobei das erste leitfähige Gebiet (13a) von der zweiten Dielektrikumsschicht (8) bedeckt bleibt.
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