Halbleiterbauelement mit Schaltelektrode und Gateelektrode und Verfahren zum Schalten eines Halbleiterbauelements

摘要

Halbleiterbauelement, umfassend: – ein Halbleitersubstrat mit einer Emitterregion (21), einer Driftregion (22), einer Bodyregion (23) und einer Sourceregion (24), wobei die Driftregion (21) zwischen der Emitter- und der Bodyregion gebildet ist und die Bodyregion (23) zwischen der Drift- und der Sourceregion gebildet ist; – eine erste Grabenstruktur (40), die sich von der Sourceregion (24) mindestens teilweise in die Driftregion (22) erstreckt, mit einer neben der Bodyregion (23) angeordneten Gateelektrode (41) und einer in Teilen neben der Driftregion (22) angeordneten Schaltelektrode (43), wobei die Schalt- und Gateelektrode in der Grabenstruktur elektrisch voneinander isoliert sind; – einen elektrisch mit der Gateelektrode (41) verbundenen ersten Gatetreiber (3); und – einen elektrisch mit der Schaltelektrode (43) verbundenen zweiten Gatetreiber (5).