| 摘要 |
Ein Leistungshalbleitermodul weist ein elektrisch isolierendes Substrat, eine Kupfermetallisierung, die auf der ersten Seite des Substrats angeordnet ist und in einen Chipbefestigungsbereich und in mehrere Kontaktbereichen gemustert ist, und einen Halbleiterchip auf, der an dem Chipbefestigungsbereich befestigt ist. Der Chip weist einen aktiven Vorrichtungsbereich und eine oder mehrere Kupferchipmetallisierungsschichten auf, die über dem aktiven Vorrichtungsbereich angeordnet sind. Der aktive Vorrichtungsbereich ist näher an der Kupfermetallisierung angeordnet als die eine oder mehreren Kupferchipmetallisierungsschichten. Die Kupferchipmetallisierungsschicht, die am weitesten von dem aktiven Vorrichtungsbereich angeordnet ist, weist einen Kontaktbereich auf, der sich über einen Großteil einer Seite des Chips erstreckt, die von dem Substrat weg zeigt. Das Modul weist ferner eine Kupferverbindungsmetallisierung auf, die mit dem Kontaktbereich des Chips über eine aluminiumfreie Bereichsverbindungsstelle und mit einem ersten der Kontaktbereiche der Kupfermetallisierung verbunden ist. |
