发明名称 Halbleitervorrichtung mit einer Silikatglasstruktur und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
摘要 Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper (105) mit einer ersten Oberfläche (110). Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin eine kontinuierliche Silikatglasstruktur (115) über der ersten Oberfläche (110). Ein erster Teil (115a) der kontinuierlichen Glasstruktur (115) über einem aktiven Gebiet (105a) des Halbleiterkörpers (105) umfasst eine erste Zusammensetzung von Dotierstoffen, die von einer zweiten Zusammensetzung von Dotierstoffen in einem zweiten Teil (115b) der kontinuierlichen Glasstruktur (115) über einem Gebiet (105b) des Halbleiterkörpers (105) außerhalb des aktiven Gebietes (105a) verschieden ist.
申请公布号 DE102013105009(A1) 申请公布日期 2013.11.21
申请号 DE201310105009 申请日期 2013.05.15
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 SCHULZE, HANS-JOACHIM;SUSITI, ALEXANDER;ZUNDEL, MARKUS;PLOSS, REINHARD
分类号 H01L21/762;H01L23/52;H01L29/36 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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