发明名称 |
Halbleitervorrichtung mit einer Silikatglasstruktur und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper (105) mit einer ersten Oberfläche (110). Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin eine kontinuierliche Silikatglasstruktur (115) über der ersten Oberfläche (110). Ein erster Teil (115a) der kontinuierlichen Glasstruktur (115) über einem aktiven Gebiet (105a) des Halbleiterkörpers (105) umfasst eine erste Zusammensetzung von Dotierstoffen, die von einer zweiten Zusammensetzung von Dotierstoffen in einem zweiten Teil (115b) der kontinuierlichen Glasstruktur (115) über einem Gebiet (105b) des Halbleiterkörpers (105) außerhalb des aktiven Gebietes (105a) verschieden ist. |
申请公布号 |
DE102013105009(A1) |
申请公布日期 |
2013.11.21 |
申请号 |
DE201310105009 |
申请日期 |
2013.05.15 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
SCHULZE, HANS-JOACHIM;SUSITI, ALEXANDER;ZUNDEL, MARKUS;PLOSS, REINHARD |
分类号 |
H01L21/762;H01L23/52;H01L29/36 |
主分类号 |
H01L21/762 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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