发明名称 |
电感及其形成方法、集成无源器件及其形成方法 |
摘要 |
一种电感及其形成方法、集成无源器件及其形成方法。所述电感的形成方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成第一介质层;在所述第一介质层上形成金属层;在所述金属层上形成掩膜层,所述掩膜层中形成有第一开口和第二开口,所述第一开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸;沿所述第一开口和所述第二开口刻蚀所述金属层,至暴露出位于第一开口下方的所述第一介质层,以及于第二开口底部剩余预定厚度的金属层;去除所述掩膜层。本发明提高了电感在交流电路各频率中的品质因数,电感品质因数的峰值更大,自共振频率更大,包括所形成电感的集成无源器件的性能更好。 |
申请公布号 |
CN103400828A |
申请公布日期 |
2013.11.20 |
申请号 |
CN201310315006.3 |
申请日期 |
2013.07.24 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
黎坡 |
分类号 |
H01L23/64(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L27/01(2006.01)I;H01L21/70(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/64(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种电感的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成第一介质层;在所述第一介质层上形成金属层;在所述金属层上形成掩膜层,所述掩膜层中形成有第一开口和第二开口,所述第一开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸;沿所述第一开口和所述第二开口刻蚀所述金属层,至暴露出位于第一开口下方的所述第一介质层,以及于第二开口底部剩余预定厚度的金属层;去除所述掩膜层。 |
地址 |
201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 |