一种场电子激励下的紫外光源结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种场电子激励下的紫外光源结构，其特征在于：包括阴极发射体和与阴极发射体之间以真空为间隔的受激发光体，阴极发射体与受激发光体的间距为100～1000μm；所述阴极发射体包括金属或半导体衬底和至少部分覆盖于金属或半导体衬底上的场发射阵列；所述受激发光体包括从外到内依次设置的透明衬底、导电层、宽禁带半导体纳米晶层和金属反射层。该结构将以纳米冷阴极材料为基础的阴极发射体和以宽禁带半导体纳米材料为基础的受激发光体相配合，在电子束激励下显示了很好的带边紫外荧光发射，并且该结构制备工艺简单，成本低，发光效率高，环境污染小，具有很大的应用价值。

主权项

一种场电子激励下的紫外光源结构，其特征在于：包括阴极发射体和与阴极发射体之间以真空为间隔的受激发光体，阴极发射体与受激发光体之间的间距为100～1000μm；所述阴极发射体包括金属或半导体衬底和至少部分覆盖于金属或半导体衬底上的场发射阵列；所述受激发光体包括从外到内依次设置的透明衬底、导电层、宽禁带半导体纳米晶层和金属反射层。