发明名称 一种晶硅太阳电池PECVD色差片去膜重镀的返工工艺
摘要 本发明公开了一种晶硅太阳电池PECVD色差片去膜重镀的返工工艺,其包括去膜清洗、管式PECVD镀膜、丝网印刷和烧结步骤;所述去膜清洗的具体分步骤为HF去膜、水洗1、HCl酸洗、水洗2、HF酸洗、水洗3、水洗4、水洗5和干燥;除水洗5分步骤外,其余各酸洗和水洗分步骤均需鼓泡。本发明改进了传统返工方法,减少了制绒、扩散以及刻蚀等步骤,工序少,耗时短,降低了生产成本。返工后的硅片表面干净,电池片的转换效率和合格率接近正常水平,外观正常,未产生花片。
申请公布号 CN103400890A 申请公布日期 2013.11.20
申请号 CN201310282761.6 申请日期 2013.07.08
申请人 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 发明人 涂宏波;李茂林;王学林;陈世明;刘自龙;李仙德;陈康平;金浩
分类号 H01L31/18(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人 吴关炳
主权项 一种晶硅太阳电池PECVD色差片去膜重镀的返工工艺,其特征在于,包括去膜清洗、管式PECVD镀膜、丝网印刷和烧结步骤;所述去膜清洗的具体分步骤为HF去膜、水洗1、HCl酸洗、水洗2、HF酸洗、水洗3、水洗4、水洗5和干燥;除水洗5分步骤外,其余各酸洗和水洗分步骤均需鼓泡。
地址 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业区袁溪路58号