| 发明名称 | 一种控制电解槽电压偏离的方法 | ||
| 摘要 | 一种控制电解槽电压偏离的方法，包括如下内容：（1）控制电解槽中NaF/AlF3的分子比为2.45～2.55，氧化铝质量浓度控制在1.5～2.5%，氟化镁质量浓度控制在1.8～2.0%；（2）降低电解槽各部压降；（3）巩固槽膛内型，减小水平电流，减少振摆槽出现几率；（4）降低电解质压降；（5）减少效应均摊电压，通过上述措施，本发明从根本上消除了电解槽电压偏离现象，为电解槽高效低耗、安全平稳长周期的运行起到了积极作用。 | ||
| 申请公布号 | CN103397347A | 申请公布日期 | 2013.11.20 |
| 申请号 | CN201310256662.0 | 申请日期 | 2013.06.25 |
| 申请人 | 中国铝业股份有限公司 | 发明人 | 黄卫平;周虹;祝可武;毛永庆;田元欢;杨得生;任清华;杨生良;莫政荣;马祥林 |
| 分类号 | C25C3/20(2006.01)I | 主分类号 | C25C3/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人 | 段俊涛 |
| 主权项 | 一种控制电解槽电压偏离的方法，其特征在于，包括如下内容：（1）控制电解槽中NaF/AlF3的分子比为2.45～2.55，氧化铝质量浓度控制在1.5～2.5%，氟化镁质量浓度控制在1.8～2.0%；（2）降低电解槽各部压降；（3）巩固槽膛内型，减小水平电流，减少振摆槽出现几率；（4）降低电解质压降；（5）减少效应均摊电压。 | ||
| 地址 | 100082 北京市海淀区西直门北大街62号 | ||